ROHM R6024ENJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
172-0366
Herst. Teile-Nr.:
R6024ENJTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

R6024ENJ

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

320mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.2 mm

Höhe

4.7mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Niedriger Betriebswiderstand.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Gate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±20 V

Einfache Antriebskreise möglich.

Parallele Nutzung ist einfach

Bleifreie Beschichtung

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