ROHM HP8KA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 14 A 3 W, 8-Pin HSOP
- RS Best.-Nr.:
- 172-0425
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8KA1TB
- Marke:
- ROHM
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- HP8KA1TB
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 14 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | HP8KA1 | |
| Gehäusegröße | HSOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 3 W | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 5.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 24 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 14 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie HP8KA1 | ||
Gehäusegröße HSOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 3 W | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Breite 5mm | ||
Länge 5.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 24 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Höhe 1.05mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Das SMD-Gehäuse HP8KA1 ist für Lastschalter, LiB-Lade und Entladeschalter geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei