ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 53 W, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
172-0427
Herst. Teile-Nr.:
R6011KNX
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

720 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

53 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

10.3mm

Breite

4.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.4mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Der R6011KNX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und extrem schneller Schaltgeschwindigkeit.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung