ROHM R6015ENZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15 A 120 W, 3-Pin TO-3PF

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RS Best.-Nr.:
172-0450
Herst. Teile-Nr.:
R6015ENZC8
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

15 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

R6015ENZ

Gehäusegröße

TO-3PF

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

560 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

120 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Länge

15.7mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Höhe

26.7mm

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Niedriger Betriebswiderstand.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Gate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±20 V
Einfache Antriebskreise möglich.
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung