ROHM RD3G600GN N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 40 W, 2 + Tab-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 172-0452
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G600GNTL
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | 1,143 € | 11,43 € |
| 250 - 740 | 1,031 € | 10,31 € |
| 750 - 1190 | 0,936 € | 9,36 € |
| 1200 - 1990 | 0,859 € | 8,59 € |
| 2000 + | 0,827 € | 8,27 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 172-0452
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G600GNTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3G600GN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 2 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,3 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 40 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46,5 nC bei 10 V | |
| Breite | 6.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 60 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3G600GN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 2 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,3 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 40 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 46,5 nC bei 10 V | ||
Breite 6.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Der RD3G600GN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten und einem kleinen vergossenen Hochleistungsgehäuse (TO-252), für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochleistungsgehäuse (TO-252)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Hochleistungsgehäuse (TO-252)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei