ROHM RF4E070GN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7 A 2 W, 8-Pin HUML2020L

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
172-0495
Herst. Teile-Nr.:
RF4E070GNTR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

HUML2020L

Serie

RF4E070GN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Länge

2.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,8 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Niedriger Betriebswiderstand.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Beschichtung
Halogenfrei