ROHM N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 66 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 172-0502
- Herst. Teile-Nr.:
- R8008ANX
- Marke:
- ROHM
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- R8008ANX
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,54 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 66 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.8mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 15.4mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,54 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 66 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 39 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.8mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 15.4mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
10-V-Antriebstyp
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifrei
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifrei