ROHM RJ1G08CGN N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 78 W, 3-Pin TO-263AB

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RS Best.-Nr.:
172-0517
Herst. Teile-Nr.:
RJ1G08CGNTLL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TO-263AB

Serie

RJ1G08CGN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

78 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31,1 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

9.2mm

Höhe

4.7mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
Der RJ1G08CGN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten und einem kleinen vergossenen Hochleistungsgehäuse (LPTL), für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei