ROHM RQ3C150BC P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 37 A 20 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 172-0529
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3C150BCTB
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 37 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Serie | RQ3C150BC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±8 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 3.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 3.1mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 37 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Serie RQ3C150BC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±8 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 60 nC @ 4,5 V | ||
Länge 3.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 3.1mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Der Middle Power-MOSFET RQ3C150BC ist für Schaltanwendungen und als Lastschalter geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei