onsemi NCP81080 NCP81080DR2G N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin SOIC

Die NCP81080 ist eine leistungsstarke Dual-Mosfet (Hoch- und Niederspannungsseite) Gate-Treiber-IC, für den Betrieb von MOSFETs bis zu 180 V. Die NCP81080 integriert eine Treiber-IC und eine Bootstrap-Diode und bietet 0,5 A Quellen-/0,8 A Senkenfähigkeit. Stromkreis mit Kreuz-Leitungsvermeidung ist integriert, um "Shoot-through"-Probleme zu verhindern. Die Treiber für die Hoch- und Niederspannungsseite können unabhängig voneinander gesteuert werden.

Steuert zwei N-Kanal MOSFET in Hoch-/Niederspannungsseite
Gate-Treiber für die Hochspannungsseite mit integrierter Bootstrap-Diode
Bootstrap-Versorgungsspannungsbereich bis 180 V
0,5 A Quellen-/Senkenfähigkeit Ausgänge: 0,8 A
Steuert 1 nF Last mit typischen Anstiegs- /Abfallzeiten von 19 ns/17 ns
Großer Versorgungsspannungsbereich: 5,5 V bis 20 V
2 ns Verzögerungsabgleich (typisch)
Unterspannungs-Abschaltung (UVLO) Schutz für Antriebsspannung
Betriebsstellentemperaturbereich von -40°C bis 140°C