onsemi NVMFD5C672NL NVMFD5C672NLWFT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 49 A 45 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3312
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C672NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
950 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1500)
0,974 €
(ohne MwSt.)
1,159 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 - 3000 | 0,974 € | 1.461,00 € |
| 4500 - 7500 | 0,941 € | 1.411,50 € |
| 9000 + | 0,918 € | 1.377,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 172-3312
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C672NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 49 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | NVMFD5C672NL |
| Gehäusegröße | DFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16,8 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 45 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 5.1mm |
| Länge | 6.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,3 nC bei 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.05mm |
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