onsemi NVMFS4C310N NVMFS4C310NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 51 A 32 W, 6-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 172-3329
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS4C310NT1G
Marke:: onsemi

onsemi NVMFS4C310N NVMFS4C310NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 51 A 32 W, 6-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:: 172-3329
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS4C310NT1G
Marke:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	51 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	NVMFS4C310N
Gehäusegröße	DFN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	32 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	9,7 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.1mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Höhe	1.05mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101

onsemi NVMFS4C310N NVMFS4C310NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 51 A 32 W, 6-Pin DFN

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