onsemi NVMFS4C310N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 51 A 32 W, 6-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3329
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS4C310NT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 172-3329
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS4C310NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NVMFS4C310N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NVMFS4C310N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von LeitungsverlustNiedrige Kapazität zur Minimierung von TreiberverlustOptimierte Gate-Ladung zur Minimierung von SchaltverlustenNVMFS4C310NWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische InspektionDiese Geräte sind bleifrei