onsemi NCP81080 N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
172-3353
Herst. Teile-Nr.:
NCP81080MNTBG
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Serie

NCP81080

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Gate-Schwellenspannung max.

5.4V

Gate-Schwellenspannung min.

3.4V

Breite

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

2mm

Betriebstemperatur max.

+170 °C

Höhe

0.95mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Ursprungsland:
KR
Die NCP81080 ist eine leistungsstarke Dual-Mosfet (Hoch- und Niederspannungsseite) Gate-Treiber-IC, für den Betrieb von MOSFETs bis zu 180 V. Die NCP81080 integriert eine Treiber-IC und eine Bootstrap-Diode und bietet 0,5 A Quellen-/0,8 A Senkenfähigkeit. Stromkreis mit Kreuz-Leitungsvermeidung ist integriert, um "Shoot-through"-Probleme zu verhindern. Die Treiber für die Hoch- und Niederspannungsseite können unabhängig voneinander gesteuert werden.

Steuert zwei N-Kanal MOSFET in Hoch-/Niederspannungsseite
Gate-Treiber für die Hochspannungsseite mit integrierter Bootstrap-Diode
Bootstrap-Versorgungsspannungsbereich bis 180 V
0,5 A Quellen-/Senkenfähigkeit Ausgänge: 0,8 A
Steuert 1 nF Last mit typischen Anstiegs- /Abfallzeiten von 19 ns/17 ns
Großer Versorgungsspannungsbereich: 5,5 V bis 20 V
2 ns Verzögerungsabgleich (typisch)
Unterspannungs-Abschaltung (UVLO) Schutz für Antriebsspannung
Betriebsstellentemperaturbereich von -40°C bis 140°C