onsemi NVMFD5C650NL NVMFD5C650NLT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 111 A 125 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3361
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C650NLT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- 172-3361
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C650NLT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 111 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Serie | NVMFD5C650NL | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 111 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5,8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 37 nC @ 10 V | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Serie NVMFD5C650NL | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme