onsemi NCP81080 N-Kanal Dual, SMD MOSFET, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 172-3381
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP81080DR2G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 1,264 € | 31,60 € |
| 100 - 225 | 0,957 € | 23,93 € |
| 250 - 475 | 0,931 € | 23,28 € |
| 500 - 975 | 0,806 € | 20,15 € |
| 1000 + | 0,654 € | 16,35 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 172-3381
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP81080DR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Serie | NCP81080 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.4V | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Länge | 5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +170 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Serie NCP81080 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.4V | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Länge 5mm | ||
Betriebstemperatur max. +170 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Die NCP81080 ist eine leistungsstarke Dual-Mosfet (Hoch- und Niederspannungsseite) Gate-Treiber-IC, für den Betrieb von MOSFETs bis zu 180 V. Die NCP81080 integriert eine Treiber-IC und eine Bootstrap-Diode und bietet 0,5 A Quellen-/0,8 A Senkenfähigkeit. Stromkreis mit Kreuz-Leitungsvermeidung ist integriert, um "Shoot-through"-Probleme zu verhindern. Die Treiber für die Hoch- und Niederspannungsseite können unabhängig voneinander gesteuert werden.
Steuert zwei N-Kanal MOSFET in Hoch-/Niederspannungsseite
Gate-Treiber für die Hochspannungsseite mit integrierter Bootstrap-Diode
Bootstrap-Versorgungsspannungsbereich bis 180 V
0,5 A Quellen-/Senkenfähigkeit Ausgänge: 0,8 A
Steuert 1 nF Last mit typischen Anstiegs- /Abfallzeiten von 19 ns/17 ns
Großer Versorgungsspannungsbereich: 5,5 V bis 20 V
2 ns Verzögerungsabgleich (typisch)
Unterspannungs-Abschaltung (UVLO) Schutz für Antriebsspannung
Betriebsstellentemperaturbereich von -40°C bis 140°C
Gate-Treiber für die Hochspannungsseite mit integrierter Bootstrap-Diode
Bootstrap-Versorgungsspannungsbereich bis 180 V
0,5 A Quellen-/Senkenfähigkeit Ausgänge: 0,8 A
Steuert 1 nF Last mit typischen Anstiegs- /Abfallzeiten von 19 ns/17 ns
Großer Versorgungsspannungsbereich: 5,5 V bis 20 V
2 ns Verzögerungsabgleich (typisch)
Unterspannungs-Abschaltung (UVLO) Schutz für Antriebsspannung
Betriebsstellentemperaturbereich von -40°C bis 140°C