onsemi FFSP1265A, THT MOSFET 115 W, 2 + Tab-Pin TO-220-2L
- RS Best.-Nr.:
- 172-3396
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSP1265A
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 172-3396
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSP1265A
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Gehäusegröße | TO-220-2L | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 2 + Tab | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 2.4V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Gehäusegröße TO-220-2L | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 2 + Tab | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 16.51mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 2.4V | ||
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.
Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °CHohe Spitzenstrom-KapazitätPositiver TemperaturkoeffizientKeine Sperrverzögerung/Keine DurchlasswiederkehrspannungAnwendungsbereichPFCIndustrielle StromversorgungSolarEV-LadegerätUPSSchweißen