onsemi FCB070N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 172-3418
Herst. Teile-Nr.:: FCB070N65S3
Marke:: onsemi

onsemi FCB070N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 172-3418
Herst. Teile-Nr.:: FCB070N65S3
Marke:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	44 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	312 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Breite	9.65mm
Länge	10.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	78 nC @ 10 V
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

onsemi FCB070N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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