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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ON Semiconductor
	Gehäusegröße	TO-220-2L
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	2 + Tab
	Verlustleistung max.	150 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Breite	4.67mm
	Länge	10.36mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	SiC
	Höhe	15.21mm
	Diodendurchschlagsspannung	2.4V
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke ON Semiconductor
	Gehäusegröße TO-220-2L
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 2 + Tab
	Verlustleistung max. 150 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Breite 4.67mm
	Länge 10.36mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff SiC
	Höhe 15.21mm
	Diodendurchschlagsspannung 2.4V
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °CHohe Spitzenstrom-KapazitätPositiver TemperaturkoeffizientKeine Sperrverzögerung/Keine DurchlasswiederkehrspannungAnwendungsbereichPFCIndustrielle StromversorgungSolarEV-LadegerätUPSSchweißen

onsemi FFSP1665A, THT MOSFET 150 W, 2 + Tab-Pin TO-220-2L