onsemi N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A 75 W, 3-Pin IPAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
172-4600
Herst. Teile-Nr.:
FCU850N80Z
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

IPAK

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

850 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

75 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V dc, ±30 V ac

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.8mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Höhe

7.57mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.

Typ. RDS(on) = 710 mΩ (typ.)Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 22 nC)Niedrig-Eoss (typ. 2,3 uJ bei 400 V)Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 106 pF)Verbesserte ESD-Eigenschaften