onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 172-4626
- Herst. Teile-Nr.:
- FCB070N65S3
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
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- 172-4626
- Herst. Teile-Nr.:
- FCB070N65S3
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 44 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 312 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 78 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 44 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 312 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 78 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 4.83mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.
700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 62 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerTelekommunikationIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVC