onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3 + Tab-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 172-8782
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP082N65S3F
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- NTP082N65S3F
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 82 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 313 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Höhe | 16.3mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 40 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 82 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 313 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 81 nC @ 10 V | ||
Länge 10.67mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Höhe 16.3mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Körperdiode von SuperFET III FRFET® MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 81 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 722 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationAusgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in BrückenschaltungTyp. RDS(on) = 70 mΩAnwendungsbereichTelekommunikationCloud-SystemIndustrieausführungStromversorgung TelekommunikationStromversorgung ServerSolar/UPSEV-Ladegerät