onsemi FFSP0865A, THT SiC-Leistungsmodul 98 W, 2 + Tab-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
172-8787
Herst. Teile-Nr.:
FFSP0865A
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

2 + Tab

Verlustleistung max.

98 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.8mm

Länge

10.67mm

Transistor-Werkstoff

SiC

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

2.4V

Höhe

16.51mm

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungsbereich
PFC
Industrielle Stromversorgung
Solar
EV-Ladegerät
UPS
Schweißen