onsemi FFSP0665A, THT SiC-Leistungsmodul 65 W, 2 + Tab-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
172-8792
Herst. Teile-Nr.:
FFSP0665A
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

2 + Tab

Verlustleistung max.

65 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.8mm

Länge

10.67mm

Transistor-Werkstoff

SiC

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.51mm

Diodendurchschlagsspannung

2.4V

On Semiconductor Schottky-


Die on Semiconductor TO-220-2L Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode ist das neueste Produkt, das eine völlig neue Technologie verwendet, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit gegenüber Silizium bietet. Die Diode verfügt über viele Advanced Features wie temperaturunabhängige Schalteigenschaften und ausgezeichnete Wärmeleistung, die sie ohne jeden Fall zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation macht. Diese Diode bietet viele Vorteile wie höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und -kosten.

Eigenschaften und Vorteile


• Lawinenklasse 36 mJ
• Einfache Parallelschaltung
• Hohe Stoßstromkapazität
• Keine Rückwärts-Wiederherstellung/keine Vorwärts-Wiederherstellung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Positiver Temperaturkoeffizient

Anwendungen


• EV-Ladegerät
• Für allgemeine Anwendungen
• Industrielle Leistung
• PFC
• Leistungsschaltkreise
• SMPS
• Solarwechselrichter
• UPS
• Schweißgeräte

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007