onsemi NTMFS5H414NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 210 A 110 W, 5-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
172-8984
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS5H414NLT1G
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

210 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Länge

6.1mm

Breite

5.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

75 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.1mm

Leistungs-MOSFET 40 V, 210 A, 1,4 mOhm, Einfach-N-Kanal, SO8FL, Logikpegel

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Kompaktes Design
Niedriger RDS (EIN)
Minimiert Leitungsverluste
Niedrige Qg und Kapazität
Minimiert Treiberverluste
Anwendungsbereich
Hochleistungs-DC/DC-Wandler
Synchrone AC/DC-Gleichrichter
Motorsteuerung
Netcom/Telekommunikation
Netzteil
Akkuwerkzeug