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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ON Semiconductor
	Gehäusegröße	TO-220
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	2 + Tab
	Verlustleistung max.	98 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Breite	4.8mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	SiC
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Länge	10.67mm
	Diodendurchschlagsspannung	2.4V
	Höhe	16.51mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke ON Semiconductor
	Gehäusegröße TO-220
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 2 + Tab
	Verlustleistung max. 98 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Breite 4.8mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff SiC
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Länge 10.67mm
	Diodendurchschlagsspannung 2.4V
	Höhe 16.51mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungsbereich
PFC
Industrielle Stromversorgung
Solar
EV-Ladegerät
UPS
Schweißen

onsemi FFSP0865A, THT SiC-Leistungsmodul 98 W, 2 + Tab-Pin TO-220