Infineon AUIR3313, SMD MOSFET 2 W, 5-Pin D2PAK

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RS Best.-Nr.:
175-0397
Herst. Teile-Nr.:
AUIR3313STRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Gehäusegröße

D2PAK

Serie

AUIR3313

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

13,5 mΩ

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

9.65mm

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Automobilstandard

AEC-Q100

Ursprungsland:
MX

Infineon MOSFET


Der Infineon D2PAK N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 5,5 m Ohm. Der MOSFET hat einen Ausgangsstrom von 23 A und eine Eingangsspannung von 6 V bis 32 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 2 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Aktive Klemme
• Aktive Gate-Steuerung für geringere elektromagnetische Störungen
• Stromerfassungs-Feedback
• Digitale Diagnose
• ESD-Schutz
• Eingang bezogen auf VCC
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 150 °C.
• Übertemperaturschutz
• Programmierbare Überstromabschaltung
• Verpolter Batterieschutz
• Kurzschlussschutz

Anwendungen


• für mobiles Computing
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter

Zertifizierungen


• AEC-Q100-002
• AEC-Q100-003
• AEC-Q100-004
• AEC-Q1000-011
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• PC/JEDEC J-STD-020