Microchip DN2625 DN2625K4-G N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 1,1 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
177-2970
Herst. Teile-Nr.:
DN2625K4-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,1 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,5 Ω

Channel-Modus

Depletion

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,04 nC @ 1,5 V

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.29mm

Serie

DN2625

Diodendurchschlagsspannung

1.8V

Der DN2625 ist ein (normalerweise eingeschalteter) Transistor mit Verarmungsmodus, für den eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet wurde. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.

Zusätzliche Funktionen: Sehr niedrige Gate-SchwellenspannungEntwickelt für QuellenantriebNiedrige SchaltverlusteNiedrige effektive AusgangskapazitätEntwickelt für induktive LastenGut abgestimmt auf niedrige zweite Oberwelle bei Antrieb durch MD2130