Semelab N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 170 mA 313 mW, 3-Pin TO-18
- RS Best.-Nr.:
- 177-5489
- Herst. Teile-Nr.:
- VN10K
- Marke:
- Semelab
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semelab | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 170 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-18 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 313 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -3 V, +15 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5.84mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semelab | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 170 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-18 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 9 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 313 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -3 V, +15 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5.84mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- GB
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, Semelab
MOSFET-Transistoren, Semelab