ROHM R6520ENX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
177-6115
Herst. Teile-Nr.:
R6520ENX
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220FM

Serie

R6520ENX

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.8 mm

Länge

10.3mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
JP
Der R6520ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schnellem Schalten, geeignet für die Schaltanwendung.

Geringer Durchlasswiderstand

Hohe Umschaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-freie Beschichtung

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