ROHM R6520KNX1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 220 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
177-6119
Herst. Teile-Nr.:
R6520KNX1C10
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

R6520KNX1

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

200 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

220 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.1mm

Höhe

16.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der R6520KNX1 ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand und extrem schneller Schaltgeschwindigkeit.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung