ROHM RD3S100CN N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 10 A 85 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 177-6144
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3S100CNTL1
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RD3S100CNTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 190 V | |
| Serie | RD3S100CN | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 182 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 85 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.8mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 190 V | ||
Serie RD3S100CN | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 182 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 85 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 52 nC @ 10 V | ||
Länge 6.8mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Der RD3S100CN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung