ROHM Doppelt SH8MA4 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 3 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 177-6205
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MA4TB1
- Marke:
- ROHM
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
1.210,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,484 € | 1.210,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 177-6205
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MA4TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SH8MA4 | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.05 mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SH8MA4 | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.05 mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- TH
Der SH8MA4TB1 ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem Gehäuse zur Oberflächenmontage. Er ist für das Schalten geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei.