ROHM R6002END3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1,7 A 26 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
177-6266
Herst. Teile-Nr.:
R6002END3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,7 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

R6002END3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

26 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

6.8mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,5 nC bei 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.4mm

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der R6002END3 ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung