ROHM R6011KND3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 124 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
177-6288
Herst. Teile-Nr.:
R6011KND3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

R6011KND3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

390 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

124 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.4mm

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der Leistungs-MOSFET R6011KND3 ist für Schaltnetzteile geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung