ROHM R6024KNJ N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
177-6308
Herst. Teile-Nr.:
R6024KNJTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

24 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

R6024KNJ

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

160 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

245 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

9.2mm

Höhe

4.7mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
Der R6024KNJ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand und extrem schneller Schaltgeschwindigkeit.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung