ROHM R6024KNJ N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 177-6308
- Herst. Teile-Nr.:
- R6024KNJTL
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,68 € | 9,36 € |
| 50 - 98 | 4,115 € | 8,23 € |
| 100 - 248 | 4,005 € | 8,01 € |
| 250 - 498 | 3,90 € | 7,80 € |
| 500 + | 3,805 € | 7,61 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-6308
- Herst. Teile-Nr.:
- R6024KNJTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 24 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | R6024KNJ | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 245 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.2mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 24 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie R6024KNJ | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 160 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 245 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.2mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.7mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Der R6024KNJ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand und extrem schneller Schaltgeschwindigkeit.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung