ROHM R6004END3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 4 A 59 W, 3-Pin TO-252

Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
177-6311
Herst. Teile-Nr.:
R6004END3TL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

R6004END3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

980 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

59 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

6.8mm

Breite

6.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

15 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.4mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der Leistungs-MOSFET R6004END3 ist für Schaltnetzteile geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandGeringes AbstrahlrauschenSchnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung