ROHM R6504KNJ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A 58 W, 3-Pin TO-263S

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RS Best.-Nr.:
177-6340
Herst. Teile-Nr.:
R6504KNJTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

R6504KNJ

Gehäusegröße

TO-263S

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,05 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

58 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V

Breite

9.2mm

Höhe

4.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
Der R6504KNJ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung