ROHM R6030KNZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-3PF

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RS Best.-Nr.:
177-6451
Herst. Teile-Nr.:
R6030KNZC8
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-3PF

Serie

R6030KNZ

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

86 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56 nC @ 10 V

Länge

15.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Höhe

26.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der R6030KNZ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand und extrem schneller Schaltgeschwindigkeit.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Leitungsbeschichtung