ROHM R6511KNX N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 53 W, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
177-6486
Herst. Teile-Nr.:
R6511KNX
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Serie

R6511KNX

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

400 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

53 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

4.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Länge

10.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.4mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
Der R6511KNX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung