ROHM R6011END3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 124 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 177-6492
- Herst. Teile-Nr.:
- R6011END3TL1
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- R6011END3TL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | R6011END3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 390 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 124 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Breite | 6.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie R6011END3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 390 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 124 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 32 nC @ 10 V | ||
Breite 6.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 2.4mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Der Leistungs-MOSFET R6011END3 ist für Schaltnetzteile geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandGeringes AbstrahlrauschenSchnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung