ROHM R6515ENJ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 15 A 184 W, 3-Pin TO-263S
- RS Best.-Nr.:
- 177-6524
- Herst. Teile-Nr.:
- R6515ENJTL
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,915 € | 9,83 € |
| 50 - 98 | 4,315 € | 8,63 € |
| 100 - 248 | 4,20 € | 8,40 € |
| 250 - 498 | 4,10 € | 8,20 € |
| 500 + | 4,00 € | 8,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-6524
- Herst. Teile-Nr.:
- R6515ENJTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Serie | R6515ENJ | |
| Gehäusegröße | TO-263S | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 310 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 184 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Länge | 10.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 9.2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Serie R6515ENJ | ||
Gehäusegröße TO-263S | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 310 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 184 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Länge 10.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 9.2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 40 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.7mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Der R6515ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung