ROHM R6006JNJ N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A 86 W, 3-Pin TO-263S

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RS Best.-Nr.:
177-6545
Herst. Teile-Nr.:
R6006JNJGTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-263S

Serie

R6006JNJ

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

930 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

7V

Gate-Schwellenspannung min.

5V

Verlustleistung max.

86 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

15,5 nC @ 15 V

Länge

10.4mm

Diodendurchschlagsspannung

1.7V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.7mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
Der R6006JNJ ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandSchnelle SchaltgeschwindigkeitEinfache Antriebskreise möglichPb-frei Beschichtung