ROHM RQ3E100AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 31 A 17 W, 8-Pin HSMT

Alle MOSFET anzeigen
Bestandsabfrage leider nicht möglich
RS Best.-Nr.:
177-6577
Herst. Teile-Nr.:
RQ3E100ATTB
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

31 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

HSMT

Serie

RQ3E100AT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

11,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

17 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3.3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42 nC @ 10 V

Breite

3.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.9mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
RQ3E100AT ist ein hochzuverlässiger Transistor, geeignet für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.Kleines gegossenes Hochleistungsgehäuse (HSMT8).Bleifreie LeitungsbeschichtungHalogenfrei