Teile-Nr.

ROHM RS3L045GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,5 A 2 W, 8-Pin SOP

RS Best.-Nr.:: 177-6617
Herst. Teile-Nr.:: RS3L045GNGZETB
Marke:: ROHM

ROHM RS3L045GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,5 A 2 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:: 177-6617
Herst. Teile-Nr.:: RS3L045GNGZETB
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	4,5 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Serie	RS3L045GN
	Gehäusegröße	SOP
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	59 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.7V
	Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
	Verlustleistung max.	2 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	4.05mm
	Länge	5.2mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,6 nC @ 10 V
	Höhe	1.6mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 4,5 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Serie RS3L045GN
	Gehäusegröße SOP
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 59 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.7V
	Gate-Schwellenspannung min. 1.3V
	Verlustleistung max. 2 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 4.05mm
	Länge 5.2mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,6 nC @ 10 V
	Höhe 1.6mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Datasheet

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: TH

RS3L045GN ist ein hochzuverlässige Transistor, geeignet für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung