ROHM RS3L045GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,5 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 177-6617P
- Herst. Teile-Nr.:
- RS3L045GNGZETB
- Marke:
- ROHM
Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
16,54 €
(ohne MwSt.)
19,68 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 + | 0,827 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-6617P
- Herst. Teile-Nr.:
- RS3L045GNGZETB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | RS3L045GN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 59 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.7V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Breite | 4.05mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 5.2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,6 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie RS3L045GN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 59 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.7V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Breite 4.05mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 5.2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,6 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.6mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
RS3L045GN ist ein hochzuverlässige Transistor, geeignet für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung