ROHM RQ6E040XN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1,25 W, 6-Pin SOT-457T

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RS Best.-Nr.:
177-6636
Herst. Teile-Nr.:
RQ6E040XNTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOT-457T

Serie

RQ6E040XN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

30 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,3 nC @ 5 V

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der RQ6E040XN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und integrierter G-S-Schutzdiode für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandIntegrierte G-S-SchutzdiodeKleines SMD-Gehäuse (TSMT6)Bleifreie Leitungsbeschichtung