ROHM RF4L055GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5,5 A 2 W, 8-Pin HUML2020L

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RS Best.-Nr.:
177-6659
Herst. Teile-Nr.:
RF4L055GNTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,5 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

RF4L055GN

Gehäusegröße

HUML2020L

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

43 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.7V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

2.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,8 nC @ 10 V

Höhe

0.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der RF4L055GN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand, zum Schalten geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei