ROHM RD3S075CN N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 7,5 A 52 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
177-6672
Herst. Teile-Nr.:
RD3S075CNTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,5 A

Drain-Source-Spannung max.

190 V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3S075CN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

336 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

52 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.8mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 10 V

Breite

6.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
Der RD3S075CN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandSchnelle SchaltgeschwindigkeitEinfache Antriebskreise möglichParallele Nutzung ist einfachBleifreie Beschichtung bei geringem Widerstand im eingeschalteten ZustandSchnelle SchaltgeschwindigkeitEinfache Antriebskreise möglichParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung

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