ROHM RS1E260AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 40 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
177-6744
Herst. Teile-Nr.:
RS1E260ATTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

RS1E260AT

Gehäusegröße

HSOP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

3,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

40 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

5.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

175 nC @ 10 V

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH

Rohm MOSFET


Der Rohm HSOP8 P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Abflussquellen-Widerstand von 3,1 mohm. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 80 A und eine maximale Verlustleistung von 40 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• bleifrei (Pb)
• Niedriger Einschaltwiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

Anwendungen


• für mobiles Computing
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007