ROHM RCX081N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 8 A 40 W, 3-Pin TO-220FM

Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Serie

RCX081N20

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

770 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.25V

Gate-Schwellenspannung min.

3.25V

Verlustleistung max.

40 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,5 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.3mm

Breite

4.8mm

Höhe

15.4mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V